| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn),形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì) ZnO、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富 Bi 相(图(tú) 3)。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi),還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)15和(hé)20μm 之(zhī)間(jiān), 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。SiO2的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng),而(ér) TiO2 和(hé) BaO 則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng),而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí),中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de) ZnO 晶粒(lì)是(shì) ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純 ZnO 是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng) I-U 特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng) n 型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù) ZnO 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì) Bi 2O3。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù),在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷,施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng), 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)(V Zn'、V Zn'')、氧空(kōng)位(wèi)(V o 、V o )、填隙鋅

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器已廣泛應(yìng)用(yòng)于过(guò)電(diàn)压保護、浪湧吸收(shōu)、过(guò)電(diàn)流洩放(fàng)等方(fāng)面(miàn),是(shì)防護電(diàn)气(qì)電(diàn)子設備因受雷(léi)電(diàn)閃击及(jí)其(qí)他(tā)瞬态電(diàn)磁干擾造成(chéng)傳導过(guò)電(diàn)压危害的(de)有(yǒu)效器件(jiàn),它(tā)的(de)性(xìng)能(néng)直(zhí)接影響安(ān)全(quán)保護效果(guǒ)。因氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)系(xì)統或(huò)設備運行中(zhōng)必然存在(zài)老(lǎo)化(huà)劣化(huà)現(xiàn)象(xiàng),
故必須对(duì)其(qí)進(jìn)行定(dìng)期(qī)檢測,以防止老(lǎo)化(huà)劣化(huà)産品仍工作(zuò)在(zài)系(xì)統或(huò)設備中(zhōng)。然而(ér),目前(qián)檢測方(fāng)法(fǎ)所(suǒ)判定(dìng)的(de)压敏電(diàn)压U1mA和(hé)漏電(diàn)流I
leakage两(liǎng)个(gè)參數都存在(zài)拐點(diǎn)效應(yìng),即只(zhī)有(yǒu)當MOV劣化(huà)到(dào)一(yī)定(dìng)程度(dù)後(hòu),U1mA和(hé)Ileakage才会出(chū)現(xiàn)顯著變(biàn)化(huà);而(ér)在(zài)这(zhè)个(gè)拐點(diǎn)之(zhī)前(qián)U1mA和(hé)
Ileakage都符合SJ/T10349-93測試标(biāo)準的(de)要(yào)求[8],这(zhè)就(jiù)給(gěi)檢測结果(guǒ)带(dài)来(lái)不(bù)确定(dìng)性(xìng)。某个(gè)産品自(zì)身(shēn)已經(jīng)老(lǎo)化(huà)劣化(huà)到(dào)一(yī)定(dìng)程度(dù)需要(yào)及(jí)时(shí)更(gèng)換,但U1mA和(hé)Ileakage檢測值仍然合格。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻選型電(diàn)話(huà)就(jiù)在(zài)图(tú)片(piàn)中(zhōng),歡迎来(lái)電(diàn)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
限制電(diàn)压比
限制電(diàn)压比是(shì)指在(zài)通(tòng)流能(néng)力實(shí)验(yàn)中(zhōng)通(tòng)过(guò)特(tè)定(dìng)電(diàn)流时(shí)加在(zài)压敏電(diàn)阻器两(liǎng)端的(de)電(diàn)压Up與(yǔ)压敏電(diàn)压U1mA的(de)比值。它(tā)體(tǐ)現(xiàn)了(le)压敏電(diàn)阻器在(zài)大(dà)電(diàn)流通(tòng)过(guò)时(shí)的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)特(tè)性(xìng),限制電(diàn)压比越小,越能(néng)起(qǐ)到(dào)保護電(diàn)路(lù)的(de)作(zuò)用(yòng)。通(tòng)流值和(hé)限制電(diàn)压比一(yī)同(tóng)反(fǎn)映了(le)压敏電(diàn)阻工作(zuò)特(tè)性(xìng)的(de)好壞,即是(shì)压敏電(diàn)阻通(tòng)流值越大(dà)越能(néng)吸收(shōu)浪湧電(diàn)流,限制電(diàn)压比越小,分(fēn)流作(zuò)用(yòng)就(jiù)越明(míng)顯,保護特(tè)性(xìng)就(jiù)越好。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |